Американские ученые создали сверхбыструю память
11 грудня 2006 16:51
Світ
Вашингтон
Группа американских ученых, в число которых вошли специалисты из IBM, Macronix и Qimonda, объявила о создании нового типа модулей памяти. Благодаря этой разработке, получившей название PRAM, продолжительность и скорость работы плееров, мобильных телефонов и цифровых камер существенно возрастет.
