NEC: достижения в области создания магнитной памяти [ Редагувати ]
Японская компания NEC представила на нынешней неделе свою новую микросхему магниторезистивной памяти (MRAM). Чип был представлен на проходящей в Сан-Франциско конференции Общества инженеров электроники и электротехники (IEEE), посвященной успехам в области разработки полупроводниковых интегральных схем. Новая микросхема MRAM использует узловые (cross-point - CP) ячейки памяти и имеет емкость в 512 кб.
Экспериментальная микросхема MRAM изготовлена по 0,25-микронной КМОП-технологии и 0,6-микронной технологии MRAM. Структура ячейки памяти включает в себя числовую шину (word line), разрядную шину (bit line) и магнитный туннельный переход (MTJ). Благодаря особой конструкции массива ячеек памяти инженерам NEC удалось добиться заметного снижения паразитных шумов, что привело к улучшению соотношения сигнал/шум во время операции чтения данных и одновременно позволило уменьшить размеры чипа на 20%.
Напомним, что магниторезистивная память является одной из наиболее перспективных технологий хранения данных. Она отличается высокой скоростью работы, сравнимой со скоростью димнамической оперативной памяти (DRAM), но в то же время, является энергонезависимой, как флэш-память. Запись информации в MRAM может, по заявлениям NEC, производиться неограниченное число раз. Кроме NEC работы над MRAM ведут все ведущие полупроводниковые компании в Японии, США и Европе. Дальнейшие работы над MRAM NEC будет вести в сотрудничестве с Toshiba.
