Флэш-память с использованием нанокристаллов [ Редагувати ]
Компания Motorola ведет разработки в области улучшения технологий изготовления флэш-памяти. На днях ожидается представление прототипа, созданного с использованием нанокристаллов.
Флэш-память используется как средство хранения информации в беспроводных телефонах, промышленном оборудовании и переносных накопителях информации. От обычной динамической памяти (DRAM) флэш-память отличается тем, что продолжает хранить информацию после отключения питания. Эта особенность, делающая флэш-память столь привлекательной для многих нужд, обусловлена тем, что транзисторы - миниатюрные триггеры внутри чипа - выполнены с использованием слоя диоксида кремния, удерживающего электроны, которые создают заряд, интерпретирующийся в качестве бита информации.
Информация во флэш-памяти может храниться до 10 лет, а чипы способны выдержать до миллиона операций перезаписи. Проблема заключается в том, что растущие запросы на использование флэш-памяти требуют новых технологических решений. В стремлении сделать флэш-чипы более компактными и дешевыми производители уже почти исчерпали возможности традиционной флэш-архитектуры, и к 2007 году, если не будет найдено новых решений, в этой области может наступить застой.
В данный момент все крупнейшие фирмы-производители флэш-памяти сконцентрировали свои усилия на поиске альтернативных технологий. Фирма AMD пытается создать чипы с четрехбитными ячейками памяти вместо однобитных, а также совместно с Intel и Matrix ведет разработки в области полимерной памяти. Инженеры IBM заняты поиском способов манипулирования спином электрона в атоме, что теоретически позволит создать "вечную" память. Intel ведет самостоятельные разработки универсальной памяти "овоникс" (Ovonics Unified Memory), которая базируется на материале, использующемся для производства DVD.
Motorola, в свою очередь, предлагает решение, при котором двуокись кремния, применяющаяся в качестве изолятора в транзисторах, будет заменена слоем кремниевых нанокристаллов. В обычных условиях кремний является проводником электричества, но на уровне нанокристаллов проявляет свойства изолятора. Это позволит уменьшить толщину изоляционного слоя и, соответственно, размер ячейки памяти. В результате, удастся почти вдвое увеличить плотность размещения памяти в чипе.
Если новая технология оправдает ожидания, то налаживание производства на ее основе можно ожидать в 2005-2006 гг. В то же время, Motorola не ограничивается одним направлением и ведет изыскания в различных областях, таких как Sonox-память и MRAM (Magnetic RAM). Видимо, до конца этого года специалисты Motorola вряд ли определятся, какое направление считать приоритетным.
