Новые микросхемы не боятся 650 градусов Цельсия и радиации [ Редагувати ]

Японские учёные из исследовательской лаборатории Тойота (Toyota Central R&D Labs) и корпорации Денсо (Denso Corporation) разработали технологию, позволяющую создавать микросхемы, способные нормально работать при 650 градусах Цельсия, в то время как для обычных схем уже 70 градусов является большой проблемой.

Секрет - в материале схемы. Это не кремний, как обычно, а карбид кремния (SiC).

Это вещество по своим свойствам прекрасно подходит для создания чипов. И об этом знали ещё 50 лет назад.

Проблема была в том, что никак не удавалось получить большие бездефектные кристаллы карбида кремния, из которых можно было бы создавать пластины - заготовки для микросхем.

Новый способ предполагает выращивание кристаллов в несколько стадий. При этом в каждой из них кристалл поворачивают так, чтобы вновь нарастающие слои молекул осаждались на наилучшей, наименее дефектной стороне кристалла.

Исследователи назвали технологию "Поворотный рост А-стороны" (Repeated A-Face growth).

Опыты показали, что схемы из карбида кремния могут работать при 650 градусах Цельсия и в условиях сильной радиации, что окажется полезным при создании военной и космической техники нового поколения, и, может быть, новых мощных PC, не нуждающихся в вентиляторах для процессора.