Оперативная память состоит из трёх областей - ученые [ Редагувати ]

Исследователи из Университета Райса и Технологического института Джорджии (США) выступили в поддержку гипотезы о том, что мозг располагает тремя слоями оперативной памяти.

Учёные обнаружили, что кратковременная память и впрямь состоит из трёх областей: 1) ядра, концентрирующего основное внимание на одном элементе; 2) прилегающей к ядру области, удерживающей внимание на трёх других элементах; 3) обширной периферии, содержащей пассивные элементы, которые были помечены для последующего извлечения. Но что ещё важнее, выяснилось: ядро (то есть центр внимания) обладает тремя функциями, а не двумя, как считалось. На основании входящих данных оно выбирает тот элемент, на который стоит обратить внимание. Затем извлекает его и при необходимости обновляет.

Эксперимент, проведённый Чандрамалликой Басак и Полом Верхагеном, состоял из простых задач на проверку памяти. Их предыдущие изыскания показали, что время, затрачиваемое центром внимания на переключение с внешнего на внутреннее и наоборот, не зависит от количества запоминаемых элементов, если они идут в предсказуемой последовательности. В ходе нового исследования выяснилось, что при отсутствии порядка время ответа увеличивается в среднем на 240 миллисекунд с каждым новым запоминаемым элементом. По всей видимости, именно столько времени требуется на поиск возможных соответствий.

Второй эксперимент показал, что при должной тренировке (в данном случае она занимала десять часов) человек может хранить в центре внимания четыре элемента сразу, но только если между ними есть связь.

Иными словами, предсказуемость запоминаемых элементов существенно повышает способность к многозадачности. К примеру, если вы ведёте машину по вызубренному маршруту в магазин, вы успеваете обдумать список покупок.

Исследование показало также, что третий слой оперативной памяти не только отделён от двух других, но и отгорожен от них неким барьером. Количество содержащихся в нём пассивных элементов не влияет ни на время, ни на точность извлечения из памяти активных элементов.