Hynix переходит на использование 0,06 мкм технологии при производстве памяти [ Редагувати ]

Производители памяти, как и производители прочих полупроводниковых компонентов, непрерывно стремятся оптимизировать технологический процесс, перехода на использование более "тонких" норм. Это позволяет не только уменьшить площадь полупроводниковых компонентов, но и снизить их себестоимость, а также снизить энергопотребление.

Как сообщает сайт DigiTimes, компания Hynix Semiconductor сегодня анонсировала семейство компонентов и модулей памяти высокой емкости, основанных на 0,06 мкм чипах DDR2 DRAM плотностью 1 Гбит. Массовое производство таких чипов памяти начнется в первой половине 2007 года.

Небуферизованные модули DIMM объемом 1 Гб и 2 Гб работают на частоте 800 МГц DDR, они прошли сертификацию Intel. По словам представителей Hynix, переход на 0:06 мкм техпроцесс позволит в перспективе снизить себестоимость производства памяти на 50% по сравнению с 0,08 мкм техпроцессом первого поколения. Естественно, это не гарантирует пропорционального снижения цен на модули памяти, но некоторое удешевление может иметь место.

Размер упаковки чипов Hynix плотностью 1 Гб позволит снизить стоимость изготовления модулей памяти объемом 4 Гб и более емких. Размещать чипы памяти на текстолите можно будет в два ряда, и для модулей памяти высокой емкости можно будет отказаться от "стековой" многоэтажной компоновки. Уменьшенная упаковка позволит делать более емкие низкопрофильные модули памяти.

Переход производителей памяти на новые технологические нормы весьма своевременен, так как спрос на двухканальные комплекты 2х2 Гб возрастет после анонса Windows Vista. Надеемся, что некоторое снижение цен на память подобного объема все же состоится, несмотря на всплеск спроса.