SanDisk не отстает от Toshiba в разработке флэш-памяти [ Редагувати ]

Компания SanDisk представила 4-гигабитный чип флэш-памяти с многоуровневыми ячейками (MLC) NAND-типа, выполненный на одном кристалле и вдвое больший по объему, чем её предыдущая разработка. Контроллер нового поколения позволяет при этом увеличить скорость записи в ячейки, что крайне важно для современного поколения цифровых бытовых приборов.

Также компания представила 8-гигабитный модуль NAND-памяти, представляющий собой упакованные в один корпус две линейки по 4 Гб. Новые модули памяти предназначены для использования в таких устройствах, как МР3-плееры, цифровые видеокамеры, мобильные телефоны и так далее, при этом снижается стоимость мегабайта для хранения информации.

Массовое производство новой памяти намечено на третий квартал 2004 года, однако пока не планируется её продажа как отдельного компонента. При производстве новых чипов, в создании которых принимала участие и Toshiba, будет использоваться 90-нанометровый техпроцесс, а само производство будет производиться на совместном заводе компаний в Японии FlashVision.