Начата разработка флэш-памяти нового поколения [ Редагувати ]
Spansion LLC, дочерняя компания AMD и Fujitsu Limited, занимающаяся разработкой устройств флэш-памяти, и Taiwan Semiconductor Manufacturing Company объявили о заключении соглашения, позволяющего начать массовое производство микросхем на основе 110-нанометровой технологии Spansion MirrorBit. По условиям соглашения TSMC предоставит производственные мощности для изготовления продукции Spansion - беспроводных устройств серий GL, PL и WS, а также интегрированных устройств серии GL на основе 110-нанометровой технологии MirrorBit.
Уникальность технологии Spansion MirrorBit заключается в том, что она позволяет хранить два бита данных в одной ячейке памяти, что приводит к удвоению физической плотности памяти. Технология MirrorBit позволяет упростить производство, что приводит к снижению издержек и повышению окупаемости. Ликвидируются как минимум 10% от общего количества шагов производственного процесса и 40% важнейших шагов производства, по сравнению с технологией MLC NOR.
Компания TSMC внедрит на своих предприятиях 110-нанометровый производственный процесс Spansion специально для изготовления продукции Spansion. Первоначально технология Spansion MirrorBit 110 нанометров будет применяться на 200-миллиметровых кремниевых пластинах. TSMC планирует освоить массовый выпуск ко второму кварталу 2006 года.
