IDF 2004: флэш-память NOR [ Редагувати ]
На Форуме для разработчиков, проходящем в Сан-Франциско, Intel сообщила о предстоящем выпуске первых в мире компонентов флэш-памяти типа NOR, изготовленных по технологическому процессу с проектной нормой 90 нанометров. Компоненты Wireless Flash Memory построены на основе технологий флэш-памяти Intel девятого поколения.
"Память Intel Wireless Flash Memory - самое совершенное из существующих сегодня решений для беспроводных устройств", - отметил Том Лейси, вице-президент подразделения Intel Flash Products Group. - "В ней реализованы сразу четыре новаторские технологии: малое напряжение питания (1,8 вольт), непосредственное исполнение программного кода (execute-in-place), расширенные возможности заводского программирования и совместное хранение кода и данных в одном кристалле".
Сообщается, что поставки образцов новой флэш-памяти начнутся в апреле. Первые изделия будут иметь емкость в 64 Мб, а предполагаемая цена составит 10 долларов 26 центов при оптовых поставках.
