Samsung совершил прорыв в производстве DRAM [ Редагувати ]
Компания Samsung добилась существенного повышения уровня производительности памяти DRAM, произведенной по 0,10-микронному технологическому процессу. Инженерам Samsung удалось решить ключевую проблему с диэлектриком - диоксидом алюминия (Al2O3). Ранее сообщалось, что Samsung испытывает определенные трудности в технологическом 0,10-микронном процессе производства DRAM, связанные с переходом от использования диэлектрика оксида-нитрида-оксида (ONO) к двуокиси алюминия.
По словам представителей компании, использование новой технологии позволит увеличить производительность новых устройств DRAM на 80%. Практическим результатом этого прорыва заводы компании, расположенные на Тайване, смогут увеличить производство 256-мегабайтных запоминающих устройств на 1 миллион единиц в месяц.
